Samkvæmt erlendum fjölmiðlum þróaði rannsóknarteymi undir forystu prófessors Zhou Shengjun við Wuhan háskólann há-hagkvæma GaN-græna LED á safír undirlagi. Rannsóknarteymið leggur til að nota hybrid kjarnalag (Hybrid Nucleation Layer) sem samanstendur af sputtered AIN (Sputtered AlN) og meðal-hitastig GaN tækjum til að bæta skammtafræðilega skilvirkni GaN-grænna LED ljósa.
Eins og er er þróun hár-hagkvæmra III-nítríðgjafa á öllu sýnilega sviðinu mjög aðlaðandi, og samruni margfaldra lita III-nítríðgjafa gerir skilvirka og nákvæma blendingur litrófsstýringu. , sem leiðir til skjáa með mikilli-upplausn og ýmissa snjallljósaforrita, en helsta hindrunin um þessar mundir er léleg skilvirkni III-nítríðgjafa á grænu til brúnu litrófssvæðinu.
Í þessu skyni notuðu vísindamenn við Wuhan háskólann nýtt blendingskjarnalag til að búa til-afkastamikla InGaN/GaN græna LED á safír undirlagi. Meðan á framleiðsluferlinu stendur mun blandaða kjarnalagið og GaN-yfirborðið mynda staflabrotsuppbyggingu, sem hjálpar til við að ná misfit streitujöfnun.
Með því að njóta góðs af fyrstu slökun á hitaósamræmi álags, minnka losunarþéttleiki og afgangsstreitu í grænum ljósdíóðum. Fyrir vikið bætti rannsóknarhópurinn skilvirkni um 16 prósent við fjöldaframleiðslu.
Rannsóknarteymið Wuhan háskólans sagði að möguleikar á notkun blendingskjarnalagsins væru mjög vænlegir til að gera sér grein fyrir mikilli-skilvirkni III-nítríðlosara á græna til gula-brúna svæðinu.
