Nýlega hannaði rannsóknarteymi frá háskólanum í Xiamen á nýstárlegan hátt skreyttan pýramída/borð-laga gervi nanóbyggingu. Með samsetningu nanóprentunar, þurrætunartækni og blautætingarferlis er ljósgeislunarbylgjulengdin allt að 234 nm (AlN )8/(GaN)2 Virka lagið myndast (0001), (10-13) og (20- 21) hópar af kristalplanum með fínstýranleg horn. Athyglisvert er að þessar kristalsflugvélar geta stjórnað útbreiðslu og útdráttarham djúpra útfjólubláa ljósbylgna í nanóbyggingum, í raun brotið í gegnum takmörkun á litlu keiluhorni útstreymis ljóss í hefðbundnum planum mannvirkjum og bætt verulega útdráttarskilvirkni djúps útfjólublás ljóss.
Rannsóknirnar sýna að eftir kynningu á -stýranlegu öfugum pýramída/borðbyggingu kristalsflatar er skautað ljós TM og TE aukið um 5,6 sinnum og 1,1 sinnum, í sömu röð, samanborið við flatarbygginguna og heildarljósið. styrkur við djúpu útfjólubláu bylgjulengdina 234 nm eykst um næstum 2 prósent. sinnum. Þessi rannsóknarvinna gefur nýja hugmynd til að bæta skilvirkni djúpútfjólubláa skammbylgjuljósa-tækja og er gert ráð fyrir að hún verði stækkuð til ljósrafeindatækja eins og ör-stærð LED og djúp útfjólublá skynjari.
Mynd 1. (a) Skýringarmynd af framleiðsluferli nanopore fylkinga með nanoimprinting; (b)-(c) Byggingareinkenni (AlN)8/(GaN)2 ofurstutt-tímabilsofurgrind; (d)-(f) Smásæ form nanóhola og (g)-(h) öfug pýramída/töflu nanóhol fylki
Mynd 2. (a) Ljósljómunarróf hefðbundinna planra, hringlaga nanóhola og afskorinna pýramída/borðs nanóhola; (b) Innri skammtanýtni, skilvirkni TE/TM ljósútdráttar og heildar ljósstyrksaukning nanóbygginganna þriggja.
The related research results were published in the Royal Society of Chemistry journal Nanoscale under the title of "Enhancing deep-UV emission at 234 nm by introducing a truncated pyramid AlN/GaN nanostructure with fine-tuned multiple facets" and recommended as the cover research work of the journal ( Back Inside Cover). The relevant testing work was supported by the research group of Professor Yang Zhizhong of National Taiwan University.
